真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
5期
394-398
,共5页
李训栓%彭应全%宋长安%杨青森%赵明%袁建挺%王宏
李訓栓%彭應全%宋長安%楊青森%趙明%袁建挺%王宏
리훈전%팽응전%송장안%양청삼%조명%원건정%왕굉
I-V曲线%电双稳特性%转变电压
I-V麯線%電雙穩特性%轉變電壓
I-V곡선%전쌍은특성%전변전압
一些无机半导体器件和许多有机薄膜器件都具有电双稳特性.通过对CuPc有机薄膜器件的,I-V曲线的分析,说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性.研究了膜厚对器件I-V特性的影响,结果表明CuPc膜厚达到750 nm器件才表现出明显的电双稳特性,此时跳变电压为7.51V.Ag底电极器件的转变电压(9.6V)与ITO底电极器件的转变电压(7.47V)不同,简要分析了造成这种区别的原因.并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释.
一些無機半導體器件和許多有機薄膜器件都具有電雙穩特性.通過對CuPc有機薄膜器件的,I-V麯線的分析,說明CuPc薄膜器件具有明顯的電雙穩特性.研究瞭膜厚對器件I-V特性的影響,結果錶明CuPc膜厚達到750 nm器件纔錶現齣明顯的電雙穩特性,此時跳變電壓為7.51V.Ag底電極器件的轉變電壓(9.6V)與ITO底電極器件的轉變電壓(7.47V)不同,簡要分析瞭造成這種區彆的原因.併對器件電雙穩態特性的形成機理進行瞭解釋.
일사무궤반도체기건화허다유궤박막기건도구유전쌍은특성.통과대CuPc유궤박막기건적,I-V곡선적분석,설명CuPc박막기건구유명현적전쌍은특성.연구료막후대기건I-V특성적영향,결과표명CuPc막후체도750 nm기건재표현출명현적전쌍은특성,차시도변전압위7.51V.Ag저전겁기건적전변전압(9.6V)여ITO저전겁기건적전변전압(7.47V)불동,간요분석료조성저충구별적원인.병대기건전쌍은태특성적형성궤리진행료해석.
