电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
2期
154-157
,共4页
门控时钟%低功耗%时钟树综合%时钟偏移%IC Compiler
門控時鐘%低功耗%時鐘樹綜閤%時鐘偏移%IC Compiler
문공시종%저공모%시종수종합%시종편이%IC Compiler
研究了门控时钟技术在130 nm工艺、基于高阈值标准单元库下的低功耗物理实现方法.详细阐述了多级门控时钟技术的作用机制和参数的设置方法,给出了基于门控时钟的后端实现流程,着重分析了插入门控时钟对时钟偏移的影响并提出解决方案.在中芯国际130 nm工艺下用synopsys公司的DC,IC Compiler,PT,VCS等工具完成物理实现.在10 M时钟下,总功耗降低22.6 %,面积也有所减小.
研究瞭門控時鐘技術在130 nm工藝、基于高閾值標準單元庫下的低功耗物理實現方法.詳細闡述瞭多級門控時鐘技術的作用機製和參數的設置方法,給齣瞭基于門控時鐘的後耑實現流程,著重分析瞭插入門控時鐘對時鐘偏移的影響併提齣解決方案.在中芯國際130 nm工藝下用synopsys公司的DC,IC Compiler,PT,VCS等工具完成物理實現.在10 M時鐘下,總功耗降低22.6 %,麵積也有所減小.
연구료문공시종기술재130 nm공예、기우고역치표준단원고하적저공모물리실현방법.상세천술료다급문공시종기술적작용궤제화삼수적설치방법,급출료기우문공시종적후단실현류정,착중분석료삽입문공시종대시종편이적영향병제출해결방안.재중심국제130 nm공예하용synopsys공사적DC,IC Compiler,PT,VCS등공구완성물리실현.재10 M시종하,총공모강저22.6 %,면적야유소감소.