微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
5期
609-612
,共4页
低噪声放大器%锗硅%BiCMOS%射频集成电路
低譟聲放大器%鍺硅%BiCMOS%射頻集成電路
저조성방대기%타규%BiCMOS%사빈집성전로
提出了一种新颖的900～1200 MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法.电路采用0.35 μm SiGe BiCMOS工艺制作.测试结果显示,设计的高线性低噪声放大器增益为16.4 dB,噪声系数为2.5 dB,输入1dB压缩点为-6.0 dBm,功耗为50 mW(电源电压为5V),尺寸为720 μm×950 μm.
提齣瞭一種新穎的900～1200 MHz高線性低譟聲放大器的拓撲結構,介紹瞭電路版圖的設計方法.電路採用0.35 μm SiGe BiCMOS工藝製作.測試結果顯示,設計的高線性低譟聲放大器增益為16.4 dB,譟聲繫數為2.5 dB,輸入1dB壓縮點為-6.0 dBm,功耗為50 mW(電源電壓為5V),呎吋為720 μm×950 μm.
제출료일충신영적900～1200 MHz고선성저조성방대기적탁복결구,개소료전로판도적설계방법.전로채용0.35 μm SiGe BiCMOS공예제작.측시결과현시,설계적고선성저조성방대기증익위16.4 dB,조성계수위2.5 dB,수입1dB압축점위-6.0 dBm,공모위50 mW(전원전압위5V),척촌위720 μm×950 μm.
