半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
11期
1180-1184
,共5页
于振瑞%杜金会%张加友%李长安%Aceves M
于振瑞%杜金會%張加友%李長安%Aceves M
우진서%두금회%장가우%리장안%Aceves M
富硅氧化硅%电荷俘获效应%C-V测试%诱导pn结
富硅氧化硅%電荷俘穫效應%C-V測試%誘導pn結
부규양화규%전하부획효응%C-V측시%유도pn결
利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过C-V测量研究其电荷俘获性质.发现对于n型Si衬底,在横向电压作用下,SRO层能够俘获正电荷,电荷俘获效应与SRO层的性质有关.基于电位在器件内部的分布及诱导pn结的形成,提出了一个简单的物理模型来解释所得到的实验结果.
利用Al/SRO/Si MOS,對富硅二氧化硅(SRO)材料在橫嚮電壓作用下的電荷俘穫效應進行瞭研究.用LPCVD法在n型Si襯底上沉積SRO材料,通過C-V測量研究其電荷俘穫性質.髮現對于n型Si襯底,在橫嚮電壓作用下,SRO層能夠俘穫正電荷,電荷俘穫效應與SRO層的性質有關.基于電位在器件內部的分佈及誘導pn結的形成,提齣瞭一箇簡單的物理模型來解釋所得到的實驗結果.
이용Al/SRO/Si MOS,대부규이양화규(SRO)재료재횡향전압작용하적전하부획효응진행료연구.용LPCVD법재n형Si츤저상침적SRO재료,통과C-V측량연구기전하부획성질.발현대우n형Si츤저,재횡향전압작용하,SRO층능구부획정전하,전하부획효응여SRO층적성질유관.기우전위재기건내부적분포급유도pn결적형성,제출료일개간단적물리모형래해석소득도적실험결과.
