退火对MOCVD法生长ZnO薄膜性能的影响
퇴화대MOCVD법생장ZnO박막성능적영향
Influence of Annealing on ZnO Thin Films Grown on Silicon Substrate by MOCVD
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2004年 2期 151-154 ,共4页

    张源涛%杨小天%赵佰军%刘博阳%杨天鹏%李万成%刘大力%杨树人%杜国同

    장원도%양소천%조백군%류박양%양천붕%리만성%류대력%양수인%두국동

    ZnO薄膜%Si衬底%MOCVD%退火 ZnO薄膜%Si襯底%MOCVD%退火
    ZnO박막%Si츤저%MOCVD%퇴화
    采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1 h.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长.在样品的室温PL 谱中,观察到未退火样品的紫外发射峰的中心为3.28 eV,并观察到退火样品位于3.30 eV的自由激子发射峰和位于3.23 eV的施主-受主对的复合发光峰.实验结果表明,退火后ZnO薄膜的晶体质量得到提高.
    채용MOCVD방법재(001)Si츤저상생장ZnO박막,병재공기중800℃퇴화1 h.생장급퇴화양품적XRD도보균현시료교강적(002)ZnO연사봉,표명ZnO박막위c축고취향생장.광전자능보(XPS)분석현시,퇴화후ZnO박막종부Zn생장변위부O생장.재양품적실온PL 보중,관찰도미퇴화양품적자외발사봉적중심위3.28 eV,병관찰도퇴화양품위우3.30 eV적자유격자발사봉화위우3.23 eV적시주-수주대적복합발광봉.실험결과표명,퇴화후ZnO박막적정체질량득도제고.
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