固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
1期
20-22,107
,共4页
柯导明%陈军宁%时龙兴%孙伟锋%吴秀龙%柯宜京
柯導明%陳軍寧%時龍興%孫偉鋒%吳秀龍%柯宜京
가도명%진군저%시룡흥%손위봉%오수룡%가의경
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管%场极板%击穿电压
橫嚮雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管%場極闆%擊穿電壓
횡향쌍확산금속양화물반도체장효응정체관%장겁판%격천전압
提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压.文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性.
提高LDMOS的一箇關鍵步驟是加場極闆以降低其錶麵擊穿電壓.文中分析瞭加場極闆後的LDMOS擊穿電壓模式,指齣瞭場極闆的分壓作用和場極闆邊界的影響,得到瞭其擊穿電壓的計算公式併用實驗驗證瞭公式的正確性.
제고LDMOS적일개관건보취시가장겁판이강저기표면격천전압.문중분석료가장겁판후적LDMOS격천전압모식,지출료장겁판적분압작용화장겁판변계적영향,득도료기격천전압적계산공식병용실험험증료공식적정학성.
