CAJ | 학술논문

采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜,并对薄膜进行热处理.对薄膜进行XRD、SEM测试.实验显示,不同衬底制备SnO2薄膜在未掺钕时结构有明显区别,采用同样工艺条件在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜没有显示择优生长;在硅衬底上制备未掺钕SnO2薄膜显示出沿[101]晶向择优生长趋势.掺钕(5 at%)玻璃衬底制备的薄膜沿[110]衍射峰较强,但薄膜基本呈现自由生长;掺钕后硅衬底制备的薄膜则强烈沿[110]晶向择优生长,随掺钕含量增加择优生长趋势消失,当掺钕含量为(5 at%)时薄膜呈自由生长结构较完善.SEM给出在玻璃基片生长的薄膜表面形貌呈均匀小颗粒状,平均晶粒尺寸在30 nm左右.硅基片制备的薄膜表面则呈紧密均匀带孔颗粒状;颗粒尺寸约1000 nm 与计算值相差较大.两种衬底制备的SnO2薄膜经稀土钕掺杂可抑制晶粒生长.本实验中钕掺杂量为5 at%(热处理T=500℃,t=45 min)时薄膜结构特性最佳.
채용진공기상침적법재파리화단정규츤저[111]상제비납미SnO2급희토금속녀참잡박막,병대박막진행열처리.대박막진행XRD、SEM측시.실험현시,불동츤저제비SnO2박막재미참녀시결구유명현구별,채용동양공예조건재파리츤저상제비적SnO2박막몰유현시택우생장;재규츤저상제비미참녀SnO2박막현시출연[101]정향택우생장추세.참녀(5 at%)파리츤저제비적박막연[110]연사봉교강,단박막기본정현자유생장;참녀후규츤저제비적박막칙강렬연[110]정향택우생장,수참녀함량증가택우생장추세소실,당참녀함량위(5 at%)시박막정자유생장결구교완선.SEM급출재파리기편생장적박막표면형모정균균소과립상,평균정립척촌재30 nm좌우.규기편제비적박막표면칙정긴밀균균대공과립상;과립척촌약1000 nm 여계산치상차교대.량충츤저제비적SnO2박막경희토녀참잡가억제정립생장.본실험중녀참잡량위5 at%(열처리T=500℃,t=45 min)시박막결구특성최가.