氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒
안화자공천사Ga2O3/BN박막제비GaN납미봉
Preparation of GaN Nanorods through Ammoniating Ga2O3/BN Films Deposited by Magnetron Sputtering
  • 万方数据
    稀有金属材料与工程 희유금속재료여공정
    RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
    2006年 z1期 129-132 ,共4页

    吴玉新%薛成山%庄惠照%田德恒%刘亦安%孙莉莉%王福学%艾玉杰

    오옥신%설성산%장혜조%전덕항%류역안%손리리%왕복학%애옥걸

    磁控溅射%氨化%氮化镓纳米棒%光致发光 磁控濺射%氨化%氮化鎵納米棒%光緻髮光
    자공천사%안화%담화가납미봉%광치발광
    利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.
    이용사빈자공천사기술재Si(111)츤저상제비Ga2O3/BN박막,재안기중퇴화합성료대량적일유GaN납미봉.용X사선연사(XRD)、선구전자연사(SAED)、부립협홍외투사보(FTIR)、소묘전자현미경(SEM)、투사전자현미경(TEM)화광치발광보(PL)대양품적정체결구、원소성분、형모특정화광학특성진행료분석.결과표명:GaN납미봉위륙방섬자광결구적단정상,기직경재150 nm～400 nm좌우,장도가체궤십미미.실온하광치발광보적측시발현료교강적372nm처적강자외발광봉화420nm처적람색발광봉.
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