相变存储器多态存储方法
상변존저기다태존저방법
Multilevel Storage Implementation Based on Multiple Stable Resistance States for High Density Phase Change Memory Application
  • 万方数据
    复旦学报(自然科学版) 복단학보(자연과학판)
    JOURNAL OF FUDAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
    2008年 1期 95-100 ,共6页

    刘欣%周鹏%林殷茵%汤庭鳌%赖云峰%乔保卫%冯洁%蔡炳初%Bomy Chen

    류흔%주붕%림은인%탕정오%뢰운봉%교보위%풍길%채병초%Bomy Chen

    微电子技术%相变存储器%多值存储%多值存储单元 微電子技術%相變存儲器%多值存儲%多值存儲單元
    미전자기술%상변존저기%다치존저%다치존저단원
    提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景.
    제출량충실현상변존저기다치존저적방법.저량충방법기우신적궤리,즉통과존저단원결구혹상변재료적개진래득도재전통"고조태"화"저조태"량태지간은정적중간전조상태.여전통실현상변다태존저적방법상비,이용저량충방법실현적다치상변존저,가이유효지제고다태존저적가고성화항조성성능,유리우재제고존저밀도적동시간화외위전로적설계,재실제응용중유량호적전경.
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