分析测试学报
分析測試學報
분석측시학보
JOURNAL OF INSTRUMENTAL ANALYSIS
2009年
3期
349-352
,共4页
多孔金膜%分子印迹%修饰电极%L-丝氨酸
多孔金膜%分子印跡%脩飾電極%L-絲氨痠
다공금막%분자인적%수식전겁%L-사안산
以电沉积多孔金膜为基底,L-丝氨酸为模板分子,L-半胱氨酸为功能单体构建了信号放大的自组装分子印迹单层膜修饰电极.电极对L-丝氨酸浓度响应的线性范围为5.0×10-6～2.0×10-4 mol/L,检出限为4.8×10-7 mol/L,灵敏度为215 mA·L·mol-1.由于多孔金膜有效增加了模板分子的固定量,印迹电极响应性能较无多孔金膜修饰的印迹电极有明显提高.
以電沉積多孔金膜為基底,L-絲氨痠為模闆分子,L-半胱氨痠為功能單體構建瞭信號放大的自組裝分子印跡單層膜脩飾電極.電極對L-絲氨痠濃度響應的線性範圍為5.0×10-6～2.0×10-4 mol/L,檢齣限為4.8×10-7 mol/L,靈敏度為215 mA·L·mol-1.由于多孔金膜有效增加瞭模闆分子的固定量,印跡電極響應性能較無多孔金膜脩飾的印跡電極有明顯提高.
이전침적다공금막위기저,L-사안산위모판분자,L-반광안산위공능단체구건료신호방대적자조장분자인적단층막수식전겁.전겁대L-사안산농도향응적선성범위위5.0×10-6～2.0×10-4 mol/L,검출한위4.8×10-7 mol/L,령민도위215 mA·L·mol-1.유우다공금막유효증가료모판분자적고정량,인적전겁향응성능교무다공금막수식적인적전겁유명현제고.
