人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2009年
2期
387-391
,共5页
王振交%季静佳%施正荣%李果华
王振交%季靜佳%施正榮%李果華
왕진교%계정가%시정영%리과화
PECVD%a-SiOx:H/a-SiNx:H%少子寿命%FGA%多晶硅
PECVD%a-SiOx:H/a-SiNx:H%少子壽命%FGA%多晶硅
PECVD%a-SiOx:H/a-SiNx:H%소자수명%FGA%다정규
本文中应用全部PECVD工艺沉积a-SiOx:H、a-SiNx:H,和a-SiOx:H/a-SiNx:H叠层系统,比较了不同钝化膜对多晶硅太阳能电池发射极和背面钝化效果,应用FGA、RTP等热处理方法对钝化膜进行处理,重点讨论了FGA(Forming gas annealing)温度和时间的长短对钝化的影响.结果表明:低温FGA对只有单面钝化膜的硅片钝化效果不明显,而在800 ℃下FGA有明显作用,而且钝化效果随着时间的增加呈现出先增大后减小然后再增大的现象;退火后降温环境中是否有H和降温时间对钝化效果有很大的影响,但是对于双面膜无论FGA温度高低对钝化都有帮助,文中对上述现象做了合理的解释.最后利用双面叠层钝化膜经过FGA处理后得到的多晶硅片的少子寿命达到14.2 μs,比镀膜之前的3.0 μs提高了11.2 μs,使多晶硅太阳能电池暗电压 Voc达到630 mV.
本文中應用全部PECVD工藝沉積a-SiOx:H、a-SiNx:H,和a-SiOx:H/a-SiNx:H疊層繫統,比較瞭不同鈍化膜對多晶硅太暘能電池髮射極和揹麵鈍化效果,應用FGA、RTP等熱處理方法對鈍化膜進行處理,重點討論瞭FGA(Forming gas annealing)溫度和時間的長短對鈍化的影響.結果錶明:低溫FGA對隻有單麵鈍化膜的硅片鈍化效果不明顯,而在800 ℃下FGA有明顯作用,而且鈍化效果隨著時間的增加呈現齣先增大後減小然後再增大的現象;退火後降溫環境中是否有H和降溫時間對鈍化效果有很大的影響,但是對于雙麵膜無論FGA溫度高低對鈍化都有幫助,文中對上述現象做瞭閤理的解釋.最後利用雙麵疊層鈍化膜經過FGA處理後得到的多晶硅片的少子壽命達到14.2 μs,比鍍膜之前的3.0 μs提高瞭11.2 μs,使多晶硅太暘能電池暗電壓 Voc達到630 mV.
본문중응용전부PECVD공예침적a-SiOx:H、a-SiNx:H,화a-SiOx:H/a-SiNx:H첩층계통,비교료불동둔화막대다정규태양능전지발사겁화배면둔화효과,응용FGA、RTP등열처리방법대둔화막진행처리,중점토론료FGA(Forming gas annealing)온도화시간적장단대둔화적영향.결과표명:저온FGA대지유단면둔화막적규편둔화효과불명현,이재800 ℃하FGA유명현작용,이차둔화효과수착시간적증가정현출선증대후감소연후재증대적현상;퇴화후강온배경중시부유H화강온시간대둔화효과유흔대적영향,단시대우쌍면막무론FGA온도고저대둔화도유방조,문중대상술현상주료합리적해석.최후이용쌍면첩층둔화막경과FGA처리후득도적다정규편적소자수명체도14.2 μs,비도막지전적3.0 μs제고료11.2 μs,사다정규태양능전지암전압 Voc체도630 mV.
