微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
8期
499-502
,共4页
高莉彬%李汝冠%蒋书文%李言荣
高莉彬%李汝冠%蔣書文%李言榮
고리빈%리여관%장서문%리언영
铋基焦绿石薄膜%湿法刻蚀%图形化%微波可调介质薄膜材料%刻蚀液
鉍基焦綠石薄膜%濕法刻蝕%圖形化%微波可調介質薄膜材料%刻蝕液
필기초록석박막%습법각식%도형화%미파가조개질박막재료%각식액
介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)两种铋基焦绿石薄膜的刻蚀情况.结果表明,刻蚀配比V(HF):m(NH4F):V(HNO3):V(H2O)为10 mL:3 g:10 mL:10 mL时,BZN和BMN薄膜能得到有效刻蚀,刻蚀速率分别为7 nm/s和4 nm/s,图形刻蚀精度高.最后讨论了该刻蚀液对铋基焦绿石薄膜的刻蚀机理,加入NH4F作为络合剂能避免刻蚀过程中三氟化铋BiF3难溶沉淀物的生成,加入HNO3作为助溶剂可以调节刻蚀速率,从而提高湿法刻蚀的图形精度.
介紹瞭一種能對鉍基焦綠石薄膜進行濕法刻蝕的有效方法,研究瞭HF,NH4F和HNO3的水溶液對鈮痠鋅鉍(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和鈮痠鎂鉍(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)兩種鉍基焦綠石薄膜的刻蝕情況.結果錶明,刻蝕配比V(HF):m(NH4F):V(HNO3):V(H2O)為10 mL:3 g:10 mL:10 mL時,BZN和BMN薄膜能得到有效刻蝕,刻蝕速率分彆為7 nm/s和4 nm/s,圖形刻蝕精度高.最後討論瞭該刻蝕液對鉍基焦綠石薄膜的刻蝕機理,加入NH4F作為絡閤劑能避免刻蝕過程中三氟化鉍BiF3難溶沉澱物的生成,加入HNO3作為助溶劑可以調節刻蝕速率,從而提高濕法刻蝕的圖形精度.
개소료일충능대필기초록석박막진행습법각식적유효방법,연구료HF,NH4F화HNO3적수용액대니산자필(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)화니산미필(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)량충필기초록석박막적각식정황.결과표명,각식배비V(HF):m(NH4F):V(HNO3):V(H2O)위10 mL:3 g:10 mL:10 mL시,BZN화BMN박막능득도유효각식,각식속솔분별위7 nm/s화4 nm/s,도형각식정도고.최후토론료해각식액대필기초록석박막적각식궤리,가입NH4F작위락합제능피면각식과정중삼불화필BiF3난용침정물적생성,가입HNO3작위조용제가이조절각식속솔,종이제고습법각식적도형정도.
