微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
273-276
,共4页
钟怡%许国磊%欧宏旗%义岚%刘嵘侃
鐘怡%許國磊%歐宏旂%義嵐%劉嶸侃
종이%허국뢰%구굉기%의람%류영간
肖基势垒二极管%静电放电%可靠性
肖基勢壘二極管%靜電放電%可靠性
초기세루이겁관%정전방전%가고성
提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制.该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到平坦的肖特基势垒区,从根本上提高了器件的反向静电放电(ESD)和浪涌冲击能力.经流片验证,采用该结构的10 A 150 V SBD产品和10 A 200 V SBD产品均通过了反向静电放电(HBM模式)8 kV的考核,达到目前业界领先水平.该结构工艺实现简单,可以应用于100 V以上SBD的批量生产.
提齣瞭一種新型SBD器件結構,併應用于高壓SBD產品的研製.該結構通過在肖特基勢壘區的硅錶麵增加一層錶麵緩遲摻雜層(Improved Surface Buffer Dope),將高壓SBD的擊穿點從常規結構的PN結保護環區域轉移到平坦的肖特基勢壘區,從根本上提高瞭器件的反嚮靜電放電(ESD)和浪湧遲擊能力.經流片驗證,採用該結構的10 A 150 V SBD產品和10 A 200 V SBD產品均通過瞭反嚮靜電放電(HBM模式)8 kV的攷覈,達到目前業界領先水平.該結構工藝實現簡單,可以應用于100 V以上SBD的批量生產.
제출료일충신형SBD기건결구,병응용우고압SBD산품적연제.해결구통과재초특기세루구적규표면증가일층표면완충참잡층(Improved Surface Buffer Dope),장고압SBD적격천점종상규결구적PN결보호배구역전이도평탄적초특기세루구,종근본상제고료기건적반향정전방전(ESD)화랑용충격능력.경류편험증,채용해결구적10 A 150 V SBD산품화10 A 200 V SBD산품균통과료반향정전방전(HBM모식)8 kV적고핵,체도목전업계령선수평.해결구공예실현간단,가이응용우100 V이상SBD적비량생산.
