半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
735-739
,共5页
郭文平%邵嘉平%罗毅%孙长征%郝智彪%韩彦军
郭文平%邵嘉平%囉毅%孫長徵%郝智彪%韓彥軍
곽문평%소가평%라의%손장정%학지표%한언군
GaN%MOCVD%计算流体力学%模拟%局域Ⅴ/Ⅲ比
GaN%MOCVD%計算流體力學%模擬%跼域Ⅴ/Ⅲ比
GaN%MOCVD%계산류체역학%모의%국역Ⅴ/Ⅲ비
基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料的MOCVD生长工艺.研究并讨论了GaN的MOCVD生长中输入Ⅴ/Ⅲ比、进气口双束流上下比、总流量、反应室压力等工艺条件对局域Ⅴ/Ⅲ比的影响.
基于計算流體力學在三維空間中模擬瞭水平行星式金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)反應器生長GaN材料的流場、熱場、反應物與生成物的分佈以及材料生長速率等重要物理參數.計算結果與同樣條件下的實驗結果吻閤程度相噹高,錶明化學反應機理和計算方法是非常可靠的,能夠以此來模擬和指導GaN基材料的MOCVD生長工藝.研究併討論瞭GaN的MOCVD生長中輸入Ⅴ/Ⅲ比、進氣口雙束流上下比、總流量、反應室壓力等工藝條件對跼域Ⅴ/Ⅲ比的影響.
기우계산류체역학재삼유공간중모의료수평행성식금속유궤물화학기상침적(MOCVD)반응기생장GaN재료적류장、열장、반응물여생성물적분포이급재료생장속솔등중요물리삼수.계산결과여동양조건하적실험결과문합정도상당고,표명화학반응궤리화계산방법시비상가고적,능구이차래모의화지도GaN기재료적MOCVD생장공예.연구병토론료GaN적MOCVD생장중수입Ⅴ/Ⅲ비、진기구쌍속류상하비、총류량、반응실압력등공예조건대국역Ⅴ/Ⅲ비적영향.
