电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
3期
841-845
,共5页
全耗尽%SOI%多栅
全耗儘%SOI%多柵
전모진%SOI%다책
随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效应问题[1].本文主要介绍SOI/MOSFET单栅、平面双栅、FinFET、三栅、环绕栅、G4-FET等新型多栅全耗尽SOI器件的研究进展.
隨著器件呎吋的不斷縮小,對更大驅動電流和更有效抑製短溝道效應器件的研製成為研究的熱點,SOI多柵全耗儘器件由于對溝道更好控製能力能夠有效地解決呎吋縮小帶來的短溝道效應問題[1].本文主要介紹SOI/MOSFET單柵、平麵雙柵、FinFET、三柵、環繞柵、G4-FET等新型多柵全耗儘SOI器件的研究進展.
수착기건척촌적불단축소,대경대구동전류화경유효억제단구도효응기건적연제성위연구적열점,SOI다책전모진기건유우대구도경호공제능력능구유효지해결척촌축소대래적단구도효응문제[1].본문주요개소SOI/MOSFET단책、평면쌍책、FinFET、삼책、배요책、G4-FET등신형다책전모진SOI기건적연구진전.
