InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响
InAlAs/InGaAs복합한제층대InAs양자점발광성질적영향
Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs quantum dots
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2003年 2期 14-16 ,共3页

    张子旸%金鹏%曲胜春%李成明%孟宪权%徐波%叶小玲%王占国

    장자양%금붕%곡성춘%리성명%맹헌권%서파%협소령%왕점국

    量子点%光致发光%能级间距 量子點%光緻髮光%能級間距
    양자점%광치발광%능급간거
    系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35 μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性.这一结果对实现高T0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义.
    계통연구료InAlAs/InGaAs복합한제층대InAs양자점광학성질적영향;발현InAs양자점적기태발광봉위、반고관이급기태여제일격발태적능급간거도강렬지의뢰우InAlAs박층적후도화In적조분;득도료실온발광파장재1.35 μm,기태여제일격발태적능급간거고체103 meV적InAs양자점적발광특성.저일결과대실현고T0적장파장InAs양자점격광기적실온격사구유중요의의.
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