电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2003年
8期
4-6
,共3页
陈慰宗%付灵丽%李绍雄%周景会
陳慰宗%付靈麗%李紹雄%週景會
진위종%부령려%리소웅%주경회
一维光子晶体%禁带%反射率%结构
一維光子晶體%禁帶%反射率%結構
일유광자정체%금대%반사솔%결구
用特征矩阵方法得出了一维光子晶体的反射率计算公式,以λ/4波片堆为例,计算了当两种介质采用不同折射率的物质时,在第一光子禁带TE波及TM波的反射率随入射角的变化.结果显示,TE波与TM波的情况不完全相同.总的来说,增大两种介质折射率的差别,或者同时提高两种介质的折射率,或者增加周期数都有利于制造出具有完全光子禁带的一维光子晶体.
用特徵矩陣方法得齣瞭一維光子晶體的反射率計算公式,以λ/4波片堆為例,計算瞭噹兩種介質採用不同摺射率的物質時,在第一光子禁帶TE波及TM波的反射率隨入射角的變化.結果顯示,TE波與TM波的情況不完全相同.總的來說,增大兩種介質摺射率的差彆,或者同時提高兩種介質的摺射率,或者增加週期數都有利于製造齣具有完全光子禁帶的一維光子晶體.
용특정구진방법득출료일유광자정체적반사솔계산공식,이λ/4파편퇴위례,계산료당량충개질채용불동절사솔적물질시,재제일광자금대TE파급TM파적반사솔수입사각적변화.결과현시,TE파여TM파적정황불완전상동.총적래설,증대량충개질절사솔적차별,혹자동시제고량충개질적절사솔,혹자증가주기수도유리우제조출구유완전광자금대적일유광자정체.
