垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究
수직강면발사격광기적결구생장급특성연구
Study on Growth and Characteristics of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Structure
  • 万方数据
    光子学报 광자학보
    ACTA PHOTONICA SINICA
    2005年 3期 343-345 ,共3页

    李林%钟景昌%张永明%赵英杰%王勇%刘文莉%郝永琴%苏伟%晏长岭

    리림%종경창%장영명%조영걸%왕용%류문리%학영금%소위%안장령

    垂直腔面发射激光器(VCSEL)%分布布拉格反射镜(DBR)%光荧光(PL)%X射线双晶衍射 (XRD) 垂直腔麵髮射激光器(VCSEL)%分佈佈拉格反射鏡(DBR)%光熒光(PL)%X射線雙晶衍射 (XRD)
    수직강면발사격광기(VCSEL)%분포포랍격반사경(DBR)%광형광(PL)%X사선쌍정연사 (XRD)
    在偏〈111〉A 2°的GaAs (100) 衬底上生长了Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片.P 型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对.用光荧光 (PL) 谱、扫描电子显微镜 (SEM)和X射线双晶衍射 (XRD) 方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析.室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0 nm,半高宽达到28.9 nm.在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了"0"级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰."0"级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″."0"级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性.实验结果表明腔模波长为837.2 nm,腔模波长与PL谱峰值波长相匹配.
    재편〈111〉A 2°적GaAs (100) 츤저상생장료Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As주기결구적수직강면발사격광기(VCSEL)외연편.P 형DBR적주기수위24.5대,N형DBR적주기수위34.5대.용광형광 (PL) 보、소묘전자현미경 (SEM)화X사선쌍정연사 (XRD) 방법대VCSEL적광학특성화결구특성진행료분석.실온양자정재료적PL보봉치파장위837.0 nm,반고관체도28.9 nm.재X사선쌍정연사회파곡선중,제료"0"급연사봉외,환관찰도일급화이급위성봉."0"급쌍정연사봉적반고관위12.56호초(″),츤저GaAs적연사봉반고관위11.79″."0"급연사봉반고관여츤저GaAs적연사봉반고관비교접근,표명정격구유흔고적완정성.실험결과표명강모파장위837.2 nm,강모파장여PL보봉치파장상필배.
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