半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
5期
498-501
,共4页
李明%段淑卿%郭强%简维廷
李明%段淑卿%郭彊%簡維廷
리명%단숙경%곽강%간유정
透射电子显微镜%样品制备%低介电常数材料%介质层TDDB可靠性测试
透射電子顯微鏡%樣品製備%低介電常數材料%介質層TDDB可靠性測試
투사전자현미경%양품제비%저개전상수재료%개질층TDDB가고성측시
研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILD TDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILD TDDB可靠性失效样品的失效机理为芯片制造过程中介质层沉积温度异常导致其疏松特性增强,介电常数降低,从而导致其电绝缘性能下降而引起TDDB可靠性测试项目失效.
研究瞭TEM樣品製備條件對Cu/低k製程ILD TDDB失效樣品及含更低介電常數(k=2.7)介質層樣品的TEM成像質量的影響,髮現在一定的樣品製備條件下低介電常數介質的疏鬆特性可在TEM成像時得到增彊顯示,進而揭示瞭某Cu/低k製程ILD TDDB可靠性失效樣品的失效機理為芯片製造過程中介質層沉積溫度異常導緻其疏鬆特性增彊,介電常數降低,從而導緻其電絕緣性能下降而引起TDDB可靠性測試項目失效.
연구료TEM양품제비조건대Cu/저k제정ILD TDDB실효양품급함경저개전상수(k=2.7)개질층양품적TEM성상질량적영향,발현재일정적양품제비조건하저개전상수개질적소송특성가재TEM성상시득도증강현시,진이게시료모Cu/저k제정ILD TDDB가고성실효양품적실효궤리위심편제조과정중개질층침적온도이상도치기소송특성증강,개전상수강저,종이도치기전절연성능하강이인기TDDB가고성측시항목실효.
