苏州大学学报（自然科学版）
囌州大學學報（自然科學版）
소주대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SUZHOU UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2011年
1期
48-51,57
,共5页
崔进%刘卉敏%邓艳红%叶超
崔進%劉卉敏%鄧豔紅%葉超
최진%류훼민%산염홍%협초
SiCOH薄膜刻蚀%CHF3等离子体%双频电容耦合放电
SiCOH薄膜刻蝕%CHF3等離子體%雙頻電容耦閤放電
SiCOH박막각식%CHF3등리자체%쌍빈전용우합방전
通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度以及传递到SiCOH薄膜表面的能量是决定SiCOH薄膜刻蚀的主要因素,符合Sankaran的碳氟等离子体刻蚀SiO2薄膜模型.在等离子体空间的CF2基团浓度较低、F基团浓度较高时,并且施加给待刻蚀薄膜的偏置功率较高时,SiCOH薄膜表面沉积的C:F薄膜层较薄,有利于等离子体空间的F基团和离子轰击薄膜的能量传递到SiCOH薄膜表面,从而使SiCOH薄膜表面的F、Si反应几率增大,实现SiCOH薄膜的有效刻蚀.
通過對SiCOH低k薄膜刻蝕後的錶麵狀態分析、等離子體空間活性基糰分析,併通過調節刻蝕時的離子轟擊能量,從實驗上研究瞭碳氟等離子體刻蝕SiCOH低k薄膜的基本過程,髮現刻蝕過程中SiCOH薄膜錶麵的C:F沉積、到達SiCOH薄膜錶麵的F原子密度以及傳遞到SiCOH薄膜錶麵的能量是決定SiCOH薄膜刻蝕的主要因素,符閤Sankaran的碳氟等離子體刻蝕SiO2薄膜模型.在等離子體空間的CF2基糰濃度較低、F基糰濃度較高時,併且施加給待刻蝕薄膜的偏置功率較高時,SiCOH薄膜錶麵沉積的C:F薄膜層較薄,有利于等離子體空間的F基糰和離子轟擊薄膜的能量傳遞到SiCOH薄膜錶麵,從而使SiCOH薄膜錶麵的F、Si反應幾率增大,實現SiCOH薄膜的有效刻蝕.
통과대SiCOH저k박막각식후적표면상태분석、등리자체공간활성기단분석,병통과조절각식시적리자굉격능량,종실험상연구료탄불등리자체각식SiCOH저k박막적기본과정,발현각식과정중SiCOH박막표면적C:F침적、도체SiCOH박막표면적F원자밀도이급전체도SiCOH박막표면적능량시결정SiCOH박막각식적주요인소,부합Sankaran적탄불등리자체각식SiO2박막모형.재등리자체공간적CF2기단농도교저、F기단농도교고시,병차시가급대각식박막적편치공솔교고시,SiCOH박막표면침적적C:F박막층교박,유리우등리자체공간적F기단화리자굉격박막적능량전체도SiCOH박막표면,종이사SiCOH박막표면적F、Si반응궤솔증대,실현SiCOH박막적유효각식.
