半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
6期
446-450
,共5页
阻变存储器%电荷泵%压控振荡器%工艺角%温度
阻變存儲器%電荷泵%壓控振盪器%工藝角%溫度
조변존저기%전하빙%압공진탕기%공예각%온도
相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度.而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路.该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备.同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义.该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求.
相對于現在流行的FLASH型存儲器,新型阻變存儲器(resistive-RAM,RRAM)有很多優勢,比如較高的存儲密度和較快的讀寫速度.而針對RRAM的讀寫操作特性,提齣瞭一種適用于新型阻變存儲器的提供操作電壓的電路.該方案解決瞭新型存儲器需要外部提供高于電源電壓的操作電壓的問題,使得阻變存儲器能應用于嵌入式設備.同時,對工藝波動和溫度波動進行補償,從而降低瞭阻變存儲器的讀寫操作在較差的工藝和溫度環境下的失敗概率,具有很彊的實際應用意義.該設計採用0.13μm標準CMOS 6層金屬工藝在中芯國際(SMIC)流片實現,測試結果錶明,採用此電路的RRAM能正確地進行數據編程和抆除等操作,測試結果達到設計要求.
상대우현재류행적FLASH형존저기,신형조변존저기(resistive-RAM,RRAM)유흔다우세,비여교고적존저밀도화교쾌적독사속도.이침대RRAM적독사조작특성,제출료일충괄용우신형조변존저기적제공조작전압적전로.해방안해결료신형존저기수요외부제공고우전원전압적조작전압적문제,사득조변존저기능응용우감입식설비.동시,대공예파동화온도파동진행보상,종이강저료조변존저기적독사조작재교차적공예화온도배경하적실패개솔,구유흔강적실제응용의의.해설계채용0.13μm표준CMOS 6층금속공예재중심국제(SMIC)류편실현,측시결과표명,채용차전로적RRAM능정학지진행수거편정화찰제등조작,측시결과체도설계요구.
