物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2002年
1期
30-33
,共4页
施申蕾%楼辉%张建华%吕萍%江宁%何丕模%鲍世宁
施申蕾%樓輝%張建華%呂萍%江寧%何丕模%鮑世寧
시신뢰%루휘%장건화%려평%강저%하비모%포세저
有机发光材料%紫外光电子能谱%界面电子结构%环辛四烯(COT)
有機髮光材料%紫外光電子能譜%界麵電子結構%環辛四烯(COT)
유궤발광재료%자외광전자능보%계면전자결구%배신사희(COT)
采用紫外光电子能谱(UPS),分析了不对称四苯基四苯乙炔基环辛四烯(COT-H)有机发光材料与金属之间的界面电子结构,研究了在金属/COT-H界面上的逸出功变化.UPS谱中位于费米能级以下5.6、7.9和10.2eV处的三个谱峰分别来自于COT-H材料中苯环的πCC、σCC和σCH轨道.位于3.8eV处的谱峰反映了八个苯环聚合后具有π轨道特性的C-C键.从UPS谱图中可以看到,COT-H材料的最高占有态(HOS:highestoccupiedstate)位于费米能级以下1.8eV处.COT-H材料的逸出功只有3.2eV,比清洁Ru表面的逸出功小1.0eV.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)的结果表明,组成COT-H分子应该近似平行于衬底表面.
採用紫外光電子能譜(UPS),分析瞭不對稱四苯基四苯乙炔基環辛四烯(COT-H)有機髮光材料與金屬之間的界麵電子結構,研究瞭在金屬/COT-H界麵上的逸齣功變化.UPS譜中位于費米能級以下5.6、7.9和10.2eV處的三箇譜峰分彆來自于COT-H材料中苯環的πCC、σCC和σCH軌道.位于3.8eV處的譜峰反映瞭八箇苯環聚閤後具有π軌道特性的C-C鍵.從UPS譜圖中可以看到,COT-H材料的最高佔有態(HOS:highestoccupiedstate)位于費米能級以下1.8eV處.COT-H材料的逸齣功隻有3.2eV,比清潔Ru錶麵的逸齣功小1.0eV.角分辨紫外光電子能譜(ARUPS)的結果錶明,組成COT-H分子應該近似平行于襯底錶麵.
채용자외광전자능보(UPS),분석료불대칭사분기사분을결기배신사희(COT-H)유궤발광재료여금속지간적계면전자결구,연구료재금속/COT-H계면상적일출공변화.UPS보중위우비미능급이하5.6、7.9화10.2eV처적삼개보봉분별래자우COT-H재료중분배적πCC、σCC화σCH궤도.위우3.8eV처적보봉반영료팔개분배취합후구유π궤도특성적C-C건.종UPS보도중가이간도,COT-H재료적최고점유태(HOS:highestoccupiedstate)위우비미능급이하1.8eV처.COT-H재료적일출공지유3.2eV,비청길Ru표면적일출공소1.0eV.각분변자외광전자능보(ARUPS)적결과표명,조성COT-H분자응해근사평행우츤저표면.
