ZnS晶体的化学气相沉积生长
ZnS정체적화학기상침적생장
Growth of ZnS Crystals by CVD Technique
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2004年 1期 92-95 ,共4页

    杨曜源%李卫%张力强%蔡以超%王向阳%肖红涛%田鸿昌%东艳萍%方珍意%郝永亮

    양요원%리위%장력강%채이초%왕향양%초홍도%전홍창%동염평%방진의%학영량

    化学气相沉积法%硫化锌%红外材料 化學氣相沉積法%硫化鋅%紅外材料
    화학기상침적법%류화자%홍외재료
    本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上.
    본문보도료용화학기상침적(CVD)법생장ZnS투명다정체적실험결과,대생장적정체적물이화학성능진행료측시,토론료화학기상침적공예중영향ZnS정체질량적인소.결과표명:선용고체류작원료,용화학기상침적방법,가이침적출투명ZnS다정체;타적투과성능겁기우이,재6.2μm처무흡수봉,재중、장파홍외투과솔가체70%이상.
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