微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2008年
6期
54-56
,共3页
击穿%栅氧化物%MOSFET器件
擊穿%柵氧化物%MOSFET器件
격천%책양화물%MOSFET기건
栅电介质击穿是MOSFET器件工作中主要的失效模式之一.由击穿而引起的栅泄漏不仅是电损耗增加的问题,而且对漏电流造成很大的影响.采用最新工艺制成的超薄栅电介质,把由击穿产生的漏电流作为因击穿点的扩展而损伤的沟道电流的一部分.制作栅氧厚度为2.2nm和3.5nm、不同沟道宽度的器件,使用专门的装置给器件施加应力,用统计方法研究晶体管性能的退化.分析表明,使漏电流退化的损伤半径大约在1.4μm-1.8μm之间.
柵電介質擊穿是MOSFET器件工作中主要的失效模式之一.由擊穿而引起的柵洩漏不僅是電損耗增加的問題,而且對漏電流造成很大的影響.採用最新工藝製成的超薄柵電介質,把由擊穿產生的漏電流作為因擊穿點的擴展而損傷的溝道電流的一部分.製作柵氧厚度為2.2nm和3.5nm、不同溝道寬度的器件,使用專門的裝置給器件施加應力,用統計方法研究晶體管性能的退化.分析錶明,使漏電流退化的損傷半徑大約在1.4μm-1.8μm之間.
책전개질격천시MOSFET기건공작중주요적실효모식지일.유격천이인기적책설루불부시전손모증가적문제,이차대루전류조성흔대적영향.채용최신공예제성적초박책전개질,파유격천산생적루전류작위인격천점적확전이손상적구도전류적일부분.제작책양후도위2.2nm화3.5nm、불동구도관도적기건,사용전문적장치급기건시가응력,용통계방법연구정체관성능적퇴화.분석표명,사루전류퇴화적손상반경대약재1.4μm-1.8μm지간.
