激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2002年
1期
35-37,40
,共4页
二元光学%厚环形%光束整形
二元光學%厚環形%光束整形
이원광학%후배형%광속정형
在已设计的16阶用于将He-Ne基模高斯光束转换为厚环形光束二元光学元件基础上,模拟计算了输入光束光斑半径变化对所设计的二元光学元件整形环效果的影响,模拟结果显示,当光斑半径偏离设计值在±50μm范围内,环上均匀性的均方误差不超出设计值的5%.同时,给出了输入光斑半径为1.745mm时的实验结果及660nm半导体激光实验结果.
在已設計的16階用于將He-Ne基模高斯光束轉換為厚環形光束二元光學元件基礎上,模擬計算瞭輸入光束光斑半徑變化對所設計的二元光學元件整形環效果的影響,模擬結果顯示,噹光斑半徑偏離設計值在±50μm範圍內,環上均勻性的均方誤差不超齣設計值的5%.同時,給齣瞭輸入光斑半徑為1.745mm時的實驗結果及660nm半導體激光實驗結果.
재이설계적16계용우장He-Ne기모고사광속전환위후배형광속이원광학원건기출상,모의계산료수입광속광반반경변화대소설계적이원광학원건정형배효과적영향,모의결과현시,당광반반경편리설계치재±50μm범위내,배상균균성적균방오차불초출설계치적5%.동시,급출료수입광반반경위1.745mm시적실험결과급660nm반도체격광실험결과.
