半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
12期
1628-1633
,共6页
熊传兵%方文卿%蒲勇%戴江南%王立%莫春兰%江风益
熊傳兵%方文卿%蒲勇%戴江南%王立%莫春蘭%江風益
웅전병%방문경%포용%대강남%왕립%막춘란%강풍익
MOCVD%ZnO%X射线双晶衍射%原子力显微镜%光致发光
MOCVD%ZnO%X射線雙晶衍射%原子力顯微鏡%光緻髮光
MOCVD%ZnO%X사선쌍정연사%원자력현미경%광치발광
以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作载气,在50mm Al2O3(0001)衬底上采用常压MOCVD技术生长出高质量的ZnO单晶薄膜.用X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征,报道了ZnO单晶膜的(102)非对称衍射结果.研究结果表明,在500～700℃范围内随生长温度升高,ZnO薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽,表面粗糙度减小,晶粒尺寸增大,在衬底温度为600℃时生长的ZnO膜的深能级发射最弱.
以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作載氣,在50mm Al2O3(0001)襯底上採用常壓MOCVD技術生長齣高質量的ZnO單晶薄膜.用X射線雙晶衍射、原子力顯微鏡和光緻髮光技術對樣品進行瞭綜閤錶徵,報道瞭ZnO單晶膜的(102)非對稱衍射結果.研究結果錶明,在500～700℃範圍內隨生長溫度升高,ZnO薄膜的雙晶搖襬麯線半峰寬增寬,錶麵粗糙度減小,晶粒呎吋增大,在襯底溫度為600℃時生長的ZnO膜的深能級髮射最弱.
이H2O작양원,Zn(C2H5)2작Zn원,N2작재기,재50mm Al2O3(0001)츤저상채용상압MOCVD기술생장출고질량적ZnO단정박막.용X사선쌍정연사、원자력현미경화광치발광기술대양품진행료종합표정,보도료ZnO단정막적(102)비대칭연사결과.연구결과표명,재500～700℃범위내수생장온도승고,ZnO박막적쌍정요파곡선반봉관증관,표면조조도감소,정립척촌증대,재츤저온도위600℃시생장적ZnO막적심능급발사최약.
