稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2005年
1期
150-153
,共4页
耿志挺%张荣%马莒生%蔡凯红
耿誌挺%張榮%馬莒生%蔡凱紅
경지정%장영%마거생%채개홍
阵列材料%氧化膜%高温氧化
陣列材料%氧化膜%高溫氧化
진렬재료%양화막%고온양화
研究了真空荧光显示屏阵列材料FeNi42Cr6合金在高温湿氢气氛中的氧化行为,其氧化过程为:首先形成Cr2O3,然后(Fe,Mn)Cr2O4氧化物形核、生长,形成完整氧化膜,成熟氧化膜由颗粒状刚玉型氧化物Cr2O3和块状尖晶石型(Fe,Mn)Cr2O4氧化物组成.实验同时表明,阵列板电阻率随氧化膜厚度增加而增大,电阻率过高会导致与之焊接的Ni丝熔断,氧化膜厚度应控制在1 μm～2 μm.借助扫描电镜、X射线衍射研究了氧化时间、氢气流量、氢气露点等工艺参数对阵列板氧化增重、氧化膜相结构及、氧化膜表面形貌的影响.得出氧化温度为950℃,时间40 min～60 min,氢气露点(dp)35℃,流量8 L/min为最佳阵列材料氧化工艺.
研究瞭真空熒光顯示屏陣列材料FeNi42Cr6閤金在高溫濕氫氣氛中的氧化行為,其氧化過程為:首先形成Cr2O3,然後(Fe,Mn)Cr2O4氧化物形覈、生長,形成完整氧化膜,成熟氧化膜由顆粒狀剛玉型氧化物Cr2O3和塊狀尖晶石型(Fe,Mn)Cr2O4氧化物組成.實驗同時錶明,陣列闆電阻率隨氧化膜厚度增加而增大,電阻率過高會導緻與之銲接的Ni絲鎔斷,氧化膜厚度應控製在1 μm～2 μm.藉助掃描電鏡、X射線衍射研究瞭氧化時間、氫氣流量、氫氣露點等工藝參數對陣列闆氧化增重、氧化膜相結構及、氧化膜錶麵形貌的影響.得齣氧化溫度為950℃,時間40 min～60 min,氫氣露點(dp)35℃,流量8 L/min為最佳陣列材料氧化工藝.
연구료진공형광현시병진렬재료FeNi42Cr6합금재고온습경기분중적양화행위,기양화과정위:수선형성Cr2O3,연후(Fe,Mn)Cr2O4양화물형핵、생장,형성완정양화막,성숙양화막유과립상강옥형양화물Cr2O3화괴상첨정석형(Fe,Mn)Cr2O4양화물조성.실험동시표명,진렬판전조솔수양화막후도증가이증대,전조솔과고회도치여지한접적Ni사용단,양화막후도응공제재1 μm～2 μm.차조소묘전경、X사선연사연구료양화시간、경기류량、경기로점등공예삼수대진렬판양화증중、양화막상결구급、양화막표면형모적영향.득출양화온도위950℃,시간40 min～60 min,경기로점(dp)35℃,류량8 L/min위최가진렬재료양화공예.
