物理学报
物理學報
물이학보
2005年
9期
4319-4323
,共5页
陆赟豪%段效邦%吕萍%张寒洁%李海洋%鲍世宁%何丕模
陸赟豪%段效邦%呂萍%張寒潔%李海洋%鮑世寧%何丕模
륙빈호%단효방%려평%장한길%리해양%포세저%하비모
紫外光电子谱%价电子结构%功函数
紫外光電子譜%價電子結構%功函數
자외광전자보%개전자결구%공함수
利用紫外光电子能谱(UPS)对新型有机半导体三萘基膦(TNP)在金属Ag(110)表面上沉积生长及其电子性质等进行了研究.三萘基膦的价带谱峰分别位于费米能级以下3.8,6.3,9.3和11.0 eV处,其中,价带顶 (HOS)位于费米能级以下约2.5 eV处.清洁Ag(110)表面的功函数为4.3 eV.随着三萘基膦在Ag(110)表面的沉积,功函数减小到3.8 eV,并达到饱和.根据UPS的测量结果,给出了三萘基膦/Ag(110)界面的能带结构,且三萘基膦与衬底Ag之间呈弱相互作用行为.
利用紫外光電子能譜(UPS)對新型有機半導體三萘基膦(TNP)在金屬Ag(110)錶麵上沉積生長及其電子性質等進行瞭研究.三萘基膦的價帶譜峰分彆位于費米能級以下3.8,6.3,9.3和11.0 eV處,其中,價帶頂 (HOS)位于費米能級以下約2.5 eV處.清潔Ag(110)錶麵的功函數為4.3 eV.隨著三萘基膦在Ag(110)錶麵的沉積,功函數減小到3.8 eV,併達到飽和.根據UPS的測量結果,給齣瞭三萘基膦/Ag(110)界麵的能帶結構,且三萘基膦與襯底Ag之間呈弱相互作用行為.
이용자외광전자능보(UPS)대신형유궤반도체삼내기련(TNP)재금속Ag(110)표면상침적생장급기전자성질등진행료연구.삼내기련적개대보봉분별위우비미능급이하3.8,6.3,9.3화11.0 eV처,기중,개대정 (HOS)위우비미능급이하약2.5 eV처.청길Ag(110)표면적공함수위4.3 eV.수착삼내기련재Ag(110)표면적침적,공함수감소도3.8 eV,병체도포화.근거UPS적측량결과,급출료삼내기련/Ag(110)계면적능대결구,차삼내기련여츤저Ag지간정약상호작용행위.
