传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2008年
7期
1097-1101
,共5页
吉慧芳%董永芬%李隆玉%姜卫粉%吕运朋%李新建
吉慧芳%董永芬%李隆玉%薑衛粉%呂運朋%李新建
길혜방%동영분%리륭옥%강위분%려운붕%리신건
硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)%湿敏%退火%温度
硅納米孔柱陣列(Si-NPA)%濕敏%退火%溫度
규납미공주진렬(Si-NPA)%습민%퇴화%온도
基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理.测试数据显示,在测试温度低于550℃时,Si-NPA湿敏元件灵敏度随退火温度的升高而增大,但响应时间略微延长,湿滞回差略微增大;550℃退火后,元件的灵敏度急剧降低.采用场发射扫描电镜(FE-SEM)对不同温度退火的硅纳米孔柱阵列表面形貌进行观察,发现550℃退火元件的微观多孔结构发生了明显变化,即多孔结构致密化.结果表明,通过合适温度退火可以显著提高Si-NPA湿敏元件灵敏度,同时仍然保持较快的响应速度和较小的湿滞回差.
基于硅納米孔柱陣列(Si-NPA)製備電容型濕度傳感元件,併在250℃、450℃和550℃三箇溫度下對元件進行退火處理.測試數據顯示,在測試溫度低于550℃時,Si-NPA濕敏元件靈敏度隨退火溫度的升高而增大,但響應時間略微延長,濕滯迴差略微增大;550℃退火後,元件的靈敏度急劇降低.採用場髮射掃描電鏡(FE-SEM)對不同溫度退火的硅納米孔柱陣列錶麵形貌進行觀察,髮現550℃退火元件的微觀多孔結構髮生瞭明顯變化,即多孔結構緻密化.結果錶明,通過閤適溫度退火可以顯著提高Si-NPA濕敏元件靈敏度,同時仍然保持較快的響應速度和較小的濕滯迴差.
기우규납미공주진렬(Si-NPA)제비전용형습도전감원건,병재250℃、450℃화550℃삼개온도하대원건진행퇴화처리.측시수거현시,재측시온도저우550℃시,Si-NPA습민원건령민도수퇴화온도적승고이증대,단향응시간략미연장,습체회차략미증대;550℃퇴화후,원건적령민도급극강저.채용장발사소묘전경(FE-SEM)대불동온도퇴화적규납미공주진렬표면형모진행관찰,발현550℃퇴화원건적미관다공결구발생료명현변화,즉다공결구치밀화.결과표명,통과합괄온도퇴화가이현저제고Si-NPA습민원건령민도,동시잉연보지교쾌적향응속도화교소적습체회차.
