上海有色金属
上海有色金屬
상해유색금속
SHANGHAI NONFERROUS METALS
2010年
2期
78-81
,共4页
尚海波%丁玲%叶祖超%谢江华
尚海波%丁玲%葉祖超%謝江華
상해파%정령%협조초%사강화
硅单晶%空洞型原生微缺陷%热场温度梯度
硅單晶%空洞型原生微缺陷%熱場溫度梯度
규단정%공동형원생미결함%열장온도제도
在集成电路飞速发展的过程中,特征线宽逐渐缩小,并要求无缺陷的衬底硅片.但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP,直接影响了CMOS器件的GOI.通过改变热场温度梯度,可以有效改善单晶的COP,改善后的重掺Sb衬底经外延后,COP被"覆盖",而不对外延层造成影响.
在集成電路飛速髮展的過程中,特徵線寬逐漸縮小,併要求無缺陷的襯底硅片.但由于單晶生長過程中會產生空洞性缺陷COP,直接影響瞭CMOS器件的GOI.通過改變熱場溫度梯度,可以有效改善單晶的COP,改善後的重摻Sb襯底經外延後,COP被"覆蓋",而不對外延層造成影響.
재집성전로비속발전적과정중,특정선관축점축소,병요구무결함적츤저규편.단유우단정생장과정중회산생공동성결함COP,직접영향료CMOS기건적GOI.통과개변열장온도제도,가이유효개선단정적COP,개선후적중참Sb츤저경외연후,COP피"복개",이불대외연층조성영향.
