原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2012年
1期
167-174
,共8页
聂招秀%王新强%高婷婷%鲁莉娅%程志梅%刘高斌
聶招秀%王新彊%高婷婷%魯莉婭%程誌梅%劉高斌
섭초수%왕신강%고정정%로리아%정지매%류고빈
AlN%铁磁性%稀磁半导体%第一性原理
AlN%鐵磁性%稀磁半導體%第一性原理
AlN%철자성%희자반도체%제일성원리
采用基于密度泛函理论( DFT)的平面波超软赝势法,研究了Cu、Ag、Au掺杂AlN的晶格常数、磁矩、能带结构和态密度.电子结构表明,Cu、Ag、Au的掺杂使在带隙中引入了由杂质原子的d态与近邻N原子的2p态杂化而戌的杂质带,都为p型掺杂,增强了体系的导电性.Cu掺杂AlN具有半金属铁磁性,半金属能隙为0.442 eV,理论上可实现100％的自旋载流子注入;Ag掺杂AlN具有很弱的半金属铁磁性;而Au掺杂AlN不具有半金属铁磁性.因此,与Ag、Au相比,Cu更适合用来制作AlN基稀磁半导体.
採用基于密度汎函理論( DFT)的平麵波超軟贗勢法,研究瞭Cu、Ag、Au摻雜AlN的晶格常數、磁矩、能帶結構和態密度.電子結構錶明,Cu、Ag、Au的摻雜使在帶隙中引入瞭由雜質原子的d態與近鄰N原子的2p態雜化而戌的雜質帶,都為p型摻雜,增彊瞭體繫的導電性.Cu摻雜AlN具有半金屬鐵磁性,半金屬能隙為0.442 eV,理論上可實現100％的自鏇載流子註入;Ag摻雜AlN具有很弱的半金屬鐵磁性;而Au摻雜AlN不具有半金屬鐵磁性.因此,與Ag、Au相比,Cu更適閤用來製作AlN基稀磁半導體.
채용기우밀도범함이론( DFT)적평면파초연안세법,연구료Cu、Ag、Au참잡AlN적정격상수、자구、능대결구화태밀도.전자결구표명,Cu、Ag、Au적참잡사재대극중인입료유잡질원자적d태여근린N원자적2p태잡화이술적잡질대,도위p형참잡,증강료체계적도전성.Cu참잡AlN구유반금속철자성,반금속능극위0.442 eV,이론상가실현100％적자선재류자주입;Ag참잡AlN구유흔약적반금속철자성;이Au참잡AlN불구유반금속철자성.인차,여Ag、Au상비,Cu경괄합용래제작AlN기희자반도체.
