物理学报
物理學報
물이학보
2007年
7期
3845-3850
,共6页
贾婉丽%施卫%纪卫莉%马德明
賈婉麗%施衛%紀衛莉%馬德明
가완려%시위%기위리%마덕명
光电导开关%THz电磁波%载流子寿命%空间电荷屏蔽
光電導開關%THz電磁波%載流子壽命%空間電荷屏蔽
광전도개관%THz전자파%재류자수명%공간전하병폐
利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对低温GaAs(LT-GaAs)和半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关辐射的THz电磁波所呈现的双极特性进行了模拟计算.结果表明,LT-GaAs光电导开关辐射THz波呈现双极性的主要原因是光生载流子寿命小于一个THz波产生时间;而光生载流子寿命大于100 ps的SI-GaAs光电导开关,在不同的实验条件(不同偏置电场、不同光脉冲能量)下,产生的THz波呈现双极特性的主要原因分别是载流子发生了谷间散射和空间电荷电场屏蔽.
利用光電導體產生太赫玆電磁波(THz波),THz遠場輻射波形與光電導體材料的載流子壽命、偏置電場以及觸髮光有直接關繫.用不同方法對低溫GaAs(LT-GaAs)和半絕緣GaAs(SI-GaAs)光電導開關輻射的THz電磁波所呈現的雙極特性進行瞭模擬計算.結果錶明,LT-GaAs光電導開關輻射THz波呈現雙極性的主要原因是光生載流子壽命小于一箇THz波產生時間;而光生載流子壽命大于100 ps的SI-GaAs光電導開關,在不同的實驗條件(不同偏置電場、不同光脈遲能量)下,產生的THz波呈現雙極特性的主要原因分彆是載流子髮生瞭穀間散射和空間電荷電場屏蔽.
이용광전도체산생태혁자전자파(THz파),THz원장복사파형여광전도체재료적재류자수명、편치전장이급촉발광유직접관계.용불동방법대저온GaAs(LT-GaAs)화반절연GaAs(SI-GaAs)광전도개관복사적THz전자파소정현적쌍겁특성진행료모의계산.결과표명,LT-GaAs광전도개관복사THz파정현쌍겁성적주요원인시광생재류자수명소우일개THz파산생시간;이광생재류자수명대우100 ps적SI-GaAs광전도개관,재불동적실험조건(불동편치전장、불동광맥충능량)하,산생적THz파정현쌍겁특성적주요원인분별시재류자발생료곡간산사화공간전하전장병폐.
