人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2009年
2期
440-444
,共5页
郭连权%武鹤楠%刘嘉慧%马贺%宋开颜%李大业
郭連權%武鶴楠%劉嘉慧%馬賀%宋開顏%李大業
곽련권%무학남%류가혜%마하%송개안%리대업
ZnO%第一性原理%密度泛函理论%能带%带隙
ZnO%第一性原理%密度汎函理論%能帶%帶隙
ZnO%제일성원리%밀도범함이론%능대%대극
本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算.得到了ZnO的能带和态密度曲线.研究表明,ZnO的价带基本上可以分为三个区域,即下价带区、上价带区和位于-18.1 eV处的宽度为1.1 eV的价带;导带部分主要是由Zn的4s态贡献的,O的2p态在该区域内具有微弱的贡献;ZnO是一种直接宽禁带半导体,导带底和价带顶位于布里渊区中心处,带隙为0.9 eV,相对比较该结果优于一些文献给出的计算值.
本文採用基于密度汎函理論框架下第一性原理的平麵波贗勢方法,併採用跼域密度近似(LDA)理論和ABINIT軟件對ZnO電子結構進行瞭計算.得到瞭ZnO的能帶和態密度麯線.研究錶明,ZnO的價帶基本上可以分為三箇區域,即下價帶區、上價帶區和位于-18.1 eV處的寬度為1.1 eV的價帶;導帶部分主要是由Zn的4s態貢獻的,O的2p態在該區域內具有微弱的貢獻;ZnO是一種直接寬禁帶半導體,導帶底和價帶頂位于佈裏淵區中心處,帶隙為0.9 eV,相對比較該結果優于一些文獻給齣的計算值.
본문채용기우밀도범함이론광가하제일성원리적평면파안세방법,병채용국역밀도근사(LDA)이론화ABINIT연건대ZnO전자결구진행료계산.득도료ZnO적능대화태밀도곡선.연구표명,ZnO적개대기본상가이분위삼개구역,즉하개대구、상개대구화위우-18.1 eV처적관도위1.1 eV적개대;도대부분주요시유Zn적4s태공헌적,O적2p태재해구역내구유미약적공헌;ZnO시일충직접관금대반도체,도대저화개대정위우포리연구중심처,대극위0.9 eV,상대비교해결과우우일사문헌급출적계산치.
