电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
3期
258-261
,共4页
陈明园%孙萍%李俊伍%秦明
陳明園%孫萍%李俊伍%秦明
진명완%손평%리준오%진명
铟凸点%Au-In 键合%倒装焊
銦凸點%Au-In 鍵閤%倒裝銲
인철점%Au-In 건합%도장한
介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用.根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6 μm高的铟凸点阵列.在150～300℃下成功的进行了Au-In倒装键合实验.在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa.
介紹瞭Au-In鍵閤在MEMS芯片封裝中的應用.根據現有的工藝設備和實驗條件對製備銦凸點陣列進行工藝設計,對銦凸點製備技術進行瞭研究,最終在硅圓片上製備瞭6 μm高的銦凸點陣列.在150～300℃下成功的進行瞭Au-In倒裝鍵閤實驗.在300℃,0.3 MPa壓力下鍵閤的剪切彊度達到瞭5 MPa.
개소료Au-In건합재MEMS심편봉장중적응용.근거현유적공예설비화실험조건대제비인철점진렬진행공예설계,대인철점제비기술진행료연구,최종재규원편상제비료6 μm고적인철점진렬.재150～300℃하성공적진행료Au-In도장건합실험.재300℃,0.3 MPa압력하건합적전절강도체도료5 MPa.
