半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
5期
378-381
,共4页
辛超%周剑%周潘兵%魏秀琴%周浪%张运锋%张美霞
辛超%週劍%週潘兵%魏秀琴%週浪%張運鋒%張美霞
신초%주검%주반병%위수금%주랑%장운봉%장미하
多晶硅%硅片%位错%退火%冷却
多晶硅%硅片%位錯%退火%冷卻
다정규%규편%위착%퇴화%냉각
对铸造多晶硅片进行了1 000～1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计.研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中住错密度的影响.结果证实:当退火温度在1 100℃及以下时,硅片的位错密度并没有降低反而增加了;当退火温度在1 320℃及以上时,硅片的位错密度明显降低,其幅度随温度提高增大;但退火后如断电随炉冷却而不控制冷却速率,位错密度又会提高.
對鑄造多晶硅片進行瞭1 000～1 400℃的高溫退火和不同方式冷卻實驗,用顯微觀察法對退火硅片及其相鄰姊妹片位錯密度進行瞭測量統計.研究瞭退火溫度和冷卻方式對鑄造多晶硅片中住錯密度的影響.結果證實:噹退火溫度在1 100℃及以下時,硅片的位錯密度併沒有降低反而增加瞭;噹退火溫度在1 320℃及以上時,硅片的位錯密度明顯降低,其幅度隨溫度提高增大;但退火後如斷電隨爐冷卻而不控製冷卻速率,位錯密度又會提高.
대주조다정규편진행료1 000～1 400℃적고온퇴화화불동방식냉각실험,용현미관찰법대퇴화규편급기상린자매편위착밀도진행료측량통계.연구료퇴화온도화냉각방식대주조다정규편중주착밀도적영향.결과증실:당퇴화온도재1 100℃급이하시,규편적위착밀도병몰유강저반이증가료;당퇴화온도재1 320℃급이상시,규편적위착밀도명현강저,기폭도수온도제고증대;단퇴화후여단전수로냉각이불공제냉각속솔,위착밀도우회제고.
