半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
3期
307-311
,共5页
黄美浅%李观启%李斌%曾绍鸿
黃美淺%李觀啟%李斌%曾紹鴻
황미천%리관계%리빈%증소홍
背面Ar+轰击%低频噪声%迁移率%界面态
揹麵Ar+轟擊%低頻譟聲%遷移率%界麵態
배면Ar+굉격%저빈조성%천이솔%계면태
研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响.用低能量(550eV) 的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度.饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释,而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释;其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层电子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅-二氧化硅界面的界面态密度的变化有关.
研究瞭低能量揹麵Ar+轟擊對n溝MOSFET低頻譟聲的影響.用低能量(550eV) 的氬離子束轟擊n溝MOSFET芯片的揹麵,能改善其飽和區和線性區的低頻譟聲頻譜密度.飽和區低頻譟聲的減小可用載流子遷移率模型解釋,而線性區低頻譟聲的減小可用載流子數模型解釋;其變化的原因可能與氬離子束揹麵轟擊後反型層電子的有效遷移率、二氧化硅中的固定電荷密度以及硅-二氧化硅界麵的界麵態密度的變化有關.
연구료저능량배면Ar+굉격대n구MOSFET저빈조성적영향.용저능량(550eV) 적아리자속굉격n구MOSFET심편적배면,능개선기포화구화선성구적저빈조성빈보밀도.포화구저빈조성적감소가용재류자천이솔모형해석,이선성구저빈조성적감소가용재류자수모형해석;기변화적원인가능여아리자속배면굉격후반형층전자적유효천이솔、이양화규중적고정전하밀도이급규-이양화규계면적계면태밀도적변화유관.
