质谱学报
質譜學報
질보학보
2006年
1期
26-29
,共4页
痕量硼%重掺砷单晶硅%SIMS定量分析%硅中氧
痕量硼%重摻砷單晶硅%SIMS定量分析%硅中氧
흔량붕%중참신단정규%SIMS정량분석%규중양
在用二次离子质谱(SIMS)进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时,有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高,接近1016atom/cm3的现象.但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离,硼浓度就降到正常范围＜1×1014atom/em3.按重掺砷硅单晶制备工艺过程,硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的,而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n+外延片并没有出现质量问题.这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像.本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系.
在用二次離子質譜(SIMS)進行重摻砷硅單晶中痕量硼的定量分析時,有時會齣現硅片錶麵跼部區域硼濃度非常高,接近1016atom/cm3的現象.但是隻要把分析區域橫嚮移動幾百微米的距離,硼濃度就降到正常範圍＜1×1014atom/em3.按重摻砷硅單晶製備工藝過程,硼在硅單晶中的分佈應該是非常均勻的,而且存在這種硼濃度分佈的異常硅單晶加工生產的n/n+外延片併沒有齣現質量問題.這說明硼濃度分佈異常的情況也許是一箇假像.本文將探索這一異常情況與硅中所存在的氧的相互關繫.
재용이차리자질보(SIMS)진행중참신규단정중흔량붕적정량분석시,유시회출현규편표면국부구역붕농도비상고,접근1016atom/cm3적현상.단시지요파분석구역횡향이동궤백미미적거리,붕농도취강도정상범위＜1×1014atom/em3.안중참신규단정제비공예과정,붕재규단정중적분포응해시비상균균적,이차존재저충붕농도분포적이상규단정가공생산적n/n+외연편병몰유출현질량문제.저설명붕농도분포이상적정황야허시일개가상.본문장탐색저일이상정황여규중소존재적양적상호관계.
