半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1342-1346
,共5页
焦翠灵%徐庆庆%赵守仁%孙士文%方维政%魏彦锋
焦翠靈%徐慶慶%趙守仁%孫士文%方維政%魏彥鋒
초취령%서경경%조수인%손사문%방유정%위언봉
HgCdTe%液相外延%双层组分异质结
HgCdTe%液相外延%雙層組分異質結
HgCdTe%액상외연%쌍층조분이질결
采用富碲水平推舟液相外延生长方式,在(111)晶向的碲锌镉衬底上生长了双层组分异质HgCdTe外延薄膜,并对生长后的薄膜质量进行了评价.使用染色法和红外透射光谱数值拟合的方法,对两层薄膜的厚度进行了表征,并建立了一个双层薄膜纵向组分分布模型;对材料的电学参数进行测量的结果显示,双层异质液相外延样品中长波层的载流子迁移率较之单层液相外延样品略高,原因可能是中波覆盖层对长波外延层起到了钝化作用.
採用富碲水平推舟液相外延生長方式,在(111)晶嚮的碲鋅鎘襯底上生長瞭雙層組分異質HgCdTe外延薄膜,併對生長後的薄膜質量進行瞭評價.使用染色法和紅外透射光譜數值擬閤的方法,對兩層薄膜的厚度進行瞭錶徵,併建立瞭一箇雙層薄膜縱嚮組分分佈模型;對材料的電學參數進行測量的結果顯示,雙層異質液相外延樣品中長波層的載流子遷移率較之單層液相外延樣品略高,原因可能是中波覆蓋層對長波外延層起到瞭鈍化作用.
채용부제수평추주액상외연생장방식,재(111)정향적제자력츤저상생장료쌍층조분이질HgCdTe외연박막,병대생장후적박막질량진행료평개.사용염색법화홍외투사광보수치의합적방법,대량층박막적후도진행료표정,병건립료일개쌍층박막종향조분분포모형;대재료적전학삼수진행측량적결과현시,쌍층이질액상외연양품중장파층적재류자천이솔교지단층액상외연양품략고,원인가능시중파복개층대장파외연층기도료둔화작용.
