核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2009年
12期
935-939
,共5页
姚志斌%何宝平%张凤祁%郭红霞%罗尹虹%王圆明%张科营
姚誌斌%何寶平%張鳳祁%郭紅霞%囉尹虹%王圓明%張科營
요지빈%하보평%장봉기%곽홍하%라윤홍%왕원명%장과영
FPGA%辐照效应%总剂量效应
FPGA%輻照效應%總劑量效應
FPGA%복조효응%총제량효응
FPGA%Radiation effects%Total dose effects
为了探索SRAM型FPGA器件的总剂量效应测试方法及效应敏感参数,以XC2S100为实验样品,设计了两种配置电路,利用~(60)Co γ辐照装置进行了总剂量效应辐照实验.通过对实验结果的分析,给出了SRAM型FPGA器件配置存储器及块存储器的测试流程,并指出功耗电流是表征效应的最敏感参数.这些结果对建立SRAM型FPGA的考核方法及测试方法打下了坚实的基础.
為瞭探索SRAM型FPGA器件的總劑量效應測試方法及效應敏感參數,以XC2S100為實驗樣品,設計瞭兩種配置電路,利用~(60)Co γ輻照裝置進行瞭總劑量效應輻照實驗.通過對實驗結果的分析,給齣瞭SRAM型FPGA器件配置存儲器及塊存儲器的測試流程,併指齣功耗電流是錶徵效應的最敏感參數.這些結果對建立SRAM型FPGA的攷覈方法及測試方法打下瞭堅實的基礎.
위료탐색SRAM형FPGA기건적총제량효응측시방법급효응민감삼수,이XC2S100위실험양품,설계료량충배치전로,이용~(60)Co γ복조장치진행료총제량효응복조실험.통과대실험결과적분석,급출료SRAM형FPGA기건배치존저기급괴존저기적측시류정,병지출공모전류시표정효응적최민감삼수.저사결과대건립SRAM형FPGA적고핵방법급측시방법타하료견실적기출.
In order to study testing methods and find sensitive parameters in total dose effects on SRAM-based FPGA, XC2S100 chips were irradiated by ~(60)Co γ-rays and tested with two test circuit designs. By analyzing the experimental results, the test flow of configuration RAM and bock RAM was given, and the most sensitive parameter was obtained. The results will be a solid foundation for establishing test specification and evaluation methods of total dose effects on SRAM-based FPGAs.
