液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2011年
2期
147-153
,共7页
吴为敬%颜骏%许志平%赖志成
吳為敬%顏駿%許誌平%賴誌成
오위경%안준%허지평%뢰지성
ZnO TFT%IGZO TFT%性能比较%光电特性%阈值电压漂移
ZnO TFT%IGZO TFT%性能比較%光電特性%閾值電壓漂移
ZnO TFT%IGZO TFT%성능비교%광전특성%역치전압표이
分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性.结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小.另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性.总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料.
分析比較瞭ZnO TFT與IGZO TFT的主要光電學特性以及閾值電壓穩定性.結果錶明:ZnO薄膜與IGZO薄膜在可見光波長範圍內都有著較高的光學透過率;在同等製備條件下,IGZO TFT器件的場效應遷移率、開關電流比、閾值電壓及亞閾值繫數等方麵的特性均明顯好于ZnO TFT;二者都有著較低的洩漏電流,併且差彆很小.另外,ZnO TFT在正負偏壓下閾值電壓都有漂移,而IGZO TFT在正偏壓下閾值電壓漂移比ZnO TFT的小且在負偏壓下閾值電壓沒有漂移,由此可見IGZO TFT比ZnO TFT有著更好的穩定性.總之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更適閤作為下一代TFT的有源層材料.
분석비교료ZnO TFT여IGZO TFT적주요광전학특성이급역치전압은정성.결과표명:ZnO박막여IGZO박막재가견광파장범위내도유착교고적광학투과솔;재동등제비조건하,IGZO TFT기건적장효응천이솔、개관전류비、역치전압급아역치계수등방면적특성균명현호우ZnO TFT;이자도유착교저적설루전류,병차차별흔소.령외,ZnO TFT재정부편압하역치전압도유표이,이IGZO TFT재정편압하역치전압표이비ZnO TFT적소차재부편압하역치전압몰유표이,유차가견IGZO TFT비ZnO TFT유착경호적은정성.총지,IGZO박막비ZnO박막경괄합작위하일대TFT적유원층재료.
