半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
74-77
,共4页
林元华%王建飞%何泓材%周剑平%周西松%南策文
林元華%王建飛%何泓材%週劍平%週西鬆%南策文
림원화%왕건비%하홍재%주검평%주서송%남책문
Bi2Ti2O7%脉冲激光沉积法%介电性能%光吸收
Bi2Ti2O7%脈遲激光沉積法%介電性能%光吸收
Bi2Ti2O7%맥충격광침적법%개전성능%광흡수
控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500～600℃,均能获得纯的Bi2Ti2O7薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200～450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.
控製單脈遲能量為350mJ,脈遲頻率為5Hz,控製閤適的基底溫度,利用脈遲激光沉積法製備齣Bi2Ti2O7薄膜材料.結果髮現,SiO2基底溫度控製在500～600℃,均能穫得純的Bi2Ti2O7薄膜.其介電常數約18.2左右,隨頻率變化比較穩定,介電損耗約0.015左右,併且在紫外波段200～450nm有著較彊的紫外吸收能力,有望在微電子器件中穫得應用.
공제단맥충능량위350mJ,맥충빈솔위5Hz,공제합괄적기저온도,이용맥충격광침적법제비출Bi2Ti2O7박막재료.결과발현,SiO2기저온도공제재500～600℃,균능획득순적Bi2Ti2O7박막.기개전상수약18.2좌우,수빈솔변화비교은정,개전손모약0.015좌우,병차재자외파단200～450nm유착교강적자외흡수능력,유망재미전자기건중획득응용.
