物理学报
物理學報
물이학보
2008年
8期
5277-5283
,共7页
Luo Xiang-Dong%姬长建%Wang Yu-Qi%王建农
Luo Xiang-Dong%姬長建%Wang Yu-Qi%王建農
Luo Xiang-Dong%희장건%Wang Yu-Qi%왕건농
GaMnAs%反射光谱%空穴浓度%折射率
GaMnAs%反射光譜%空穴濃度%摺射率
GaMnAs%반사광보%공혈농도%절사솔
通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同GaMnAs材料在室温和低温下的光调制光谱,进一步说明GaMnAs材料中空穴浓度对反射光谱的低能振荡现象的影响.
通過傅裏葉變換紅外光譜和光調製反射光譜技術測量瞭不同Mn含量的低溫分子束外延生長在GaAs襯底上的GaMnAs樣品的反射光譜.在低于Ga(Mn)As帶邊的紅外反射光譜和光調製反射光譜上觀測到低能振盪現象.通過分析振盪產生的原因併使用雙層界麵反射模型擬閤瞭紅外反射光譜的低能振盪過程,擬閤結果與實驗相符.研究錶明,反射光譜的低能振盪是由于GaMnAs中空穴濃度的變化導緻GaMnAs中的摺射率髮生變化,GaMnAs與襯底GaAs之間的摺射率差導緻瞭不同Mn含量的GaMnAs材料的反射譜的低能振盪現象.測量瞭不同GaMnAs材料在室溫和低溫下的光調製光譜,進一步說明GaMnAs材料中空穴濃度對反射光譜的低能振盪現象的影響.
통과부리협변환홍외광보화광조제반사광보기술측량료불동Mn함량적저온분자속외연생장재GaAs츤저상적GaMnAs양품적반사광보.재저우Ga(Mn)As대변적홍외반사광보화광조제반사광보상관측도저능진탕현상.통과분석진탕산생적원인병사용쌍층계면반사모형의합료홍외반사광보적저능진탕과정,의합결과여실험상부.연구표명,반사광보적저능진탕시유우GaMnAs중공혈농도적변화도치GaMnAs중적절사솔발생변화,GaMnAs여츤저GaAs지간적절사솔차도치료불동Mn함량적GaMnAs재료적반사보적저능진탕현상.측량료불동GaMnAs재료재실온화저온하적광조제광보,진일보설명GaMnAs재료중공혈농도대반사광보적저능진탕현상적영향.
