电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2008年
9期
23-26,34
,共5页
神经信号再生%电流激励%全差分运算放大器%跨导放大器
神經信號再生%電流激勵%全差分運算放大器%跨導放大器
신경신호재생%전류격려%전차분운산방대기%과도방대기
介绍了一种电流激励神经信号再生电路,该电路由探测电路和激励电路组成.探测电路由全差分运算放大器和仪表放大器组成.全差分运算放大器从神经元上端探测并放大神经信号,仪表放大器对信号进一步放大.最后激励级的跨导放大器将电压线性的转化为电流.电路采用CSMC0.5μm CMOS工艺设计,芯片版图尺寸为0.93mm×0.60mm.芯片的仿真结果为:在±2.5V供电电压下,功耗为8.1mW,输出电流最高可达0.357mA,输出电阻为152 kΩ,总谐波失真小于1.9%.
介紹瞭一種電流激勵神經信號再生電路,該電路由探測電路和激勵電路組成.探測電路由全差分運算放大器和儀錶放大器組成.全差分運算放大器從神經元上耑探測併放大神經信號,儀錶放大器對信號進一步放大.最後激勵級的跨導放大器將電壓線性的轉化為電流.電路採用CSMC0.5μm CMOS工藝設計,芯片版圖呎吋為0.93mm×0.60mm.芯片的倣真結果為:在±2.5V供電電壓下,功耗為8.1mW,輸齣電流最高可達0.357mA,輸齣電阻為152 kΩ,總諧波失真小于1.9%.
개소료일충전류격려신경신호재생전로,해전로유탐측전로화격려전로조성.탐측전로유전차분운산방대기화의표방대기조성.전차분운산방대기종신경원상단탐측병방대신경신호,의표방대기대신호진일보방대.최후격려급적과도방대기장전압선성적전화위전류.전로채용CSMC0.5μm CMOS공예설계,심편판도척촌위0.93mm×0.60mm.심편적방진결과위:재±2.5V공전전압하,공모위8.1mW,수출전류최고가체0.357mA,수출전조위152 kΩ,총해파실진소우1.9%.
