微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
8期
476-479
,共4页
选择腐蚀%赝配高电子迁移率晶体管%腐蚀终止层%砷化镓%凹槽
選擇腐蝕%贗配高電子遷移率晶體管%腐蝕終止層%砷化鎵%凹槽
선택부식%안배고전자천이솔정체관%부식종지층%신화가%요조
基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层.经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺.利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性.本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益.
基于GaAs PHEMT(贗配高電子遷移率晶體管)材料結構的設計,材料生長過程中增加瞭一層腐蝕終止層.經過大量的實驗和腐蝕液體繫的選取,完成瞭GaAs PHEMT工藝中能用于大批量生產的柵加工工藝.利用選擇腐蝕終止層可以很容易地達到夾斷電壓和漏極電流的批量生產的一緻性.本研究利用燐痠腐蝕液體繫,在材料的設計中增加瞭InxGa1-xP腐蝕終止層,結果達到瞭預期目的,併已用于GaAs 0.25μm PHEMT標準工藝的生產中,穫得瞭良好的經濟效益.
기우GaAs PHEMT(안배고전자천이솔정체관)재료결구적설계,재료생장과정중증가료일층부식종지층.경과대량적실험화부식액체계적선취,완성료GaAs PHEMT공예중능용우대비량생산적책가공공예.이용선택부식종지층가이흔용역지체도협단전압화루겁전류적비량생산적일치성.본연구이용린산부식액체계,재재료적설계중증가료InxGa1-xP부식종지층,결과체도료예기목적,병이용우GaAs 0.25μm PHEMT표준공예적생산중,획득료량호적경제효익.
