微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
5期
642-646
,共5页
SiGe%BiCMOS%超宽带%低噪声放大器
SiGe%BiCMOS%超寬帶%低譟聲放大器
SiGe%BiCMOS%초관대%저조성방대기
基于AMS 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于3.1～10.6 GHz频段的超宽带低噪声放大器;采用多个反馈环路,实现超宽带范围内的阻抗匹配以及低噪声性能;详细分析了匹配电路的特性.在片测试结果表明,在工作频带内,电路增益S21达到14 dB,增益波动小于2 dB;输入回波损耗S11小于-10 dB;噪声系数NF小于3.5 dB.电路采用3 V供电,功耗为30 mW.
基于AMS 0.35 μm SiGe BiCMOS工藝,設計瞭一種應用于3.1～10.6 GHz頻段的超寬帶低譟聲放大器;採用多箇反饋環路,實現超寬帶範圍內的阻抗匹配以及低譟聲性能;詳細分析瞭匹配電路的特性.在片測試結果錶明,在工作頻帶內,電路增益S21達到14 dB,增益波動小于2 dB;輸入迴波損耗S11小于-10 dB;譟聲繫數NF小于3.5 dB.電路採用3 V供電,功耗為30 mW.
기우AMS 0.35 μm SiGe BiCMOS공예,설계료일충응용우3.1～10.6 GHz빈단적초관대저조성방대기;채용다개반궤배로,실현초관대범위내적조항필배이급저조성성능;상세분석료필배전로적특성.재편측시결과표명,재공작빈대내,전로증익S21체도14 dB,증익파동소우2 dB;수입회파손모S11소우-10 dB;조성계수NF소우3.5 dB.전로채용3 V공전,공모위30 mW.
