半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
9期
70-73
,共4页
外延生长%GaN薄膜%实时监控
外延生長%GaN薄膜%實時鑑控
외연생장%GaN박막%실시감공
分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.在此基础上,设计了一套监控系统,用于GaN外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略.
分析瞭在ECR-MOCVD裝置上外延生長GaN單晶薄膜的工藝過程特點和在此過程中影響GaN結晶質量的主要因素.在此基礎上,設計瞭一套鑑控繫統,用于GaN外延生長的工藝流程鑑控,併提齣瞭一種閤適的工藝流程鑑控策略.
분석료재ECR-MOCVD장치상외연생장GaN단정박막적공예과정특점화재차과정중영향GaN결정질량적주요인소.재차기출상,설계료일투감공계통,용우GaN외연생장적공예류정감공,병제출료일충합괄적공예류정감공책략.
