复旦学报(自然科学版)
複旦學報(自然科學版)
복단학보(자연과학판)
JOURNAL OF FUDAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2005年
1期
188-191
,共4页
集成电路%基准电压%亚阈值%低电压%低功耗
集成電路%基準電壓%亞閾值%低電壓%低功耗
집성전로%기준전압%아역치%저전압%저공모
提出了一种新型的低电压、低功耗、工作在亚阈值区的基准电压源.该电路用标准的0.18 μm CMOS工艺设计,工作电压1 V,总电流4 μA,电路的温度系数为83×10-6 K-1.
提齣瞭一種新型的低電壓、低功耗、工作在亞閾值區的基準電壓源.該電路用標準的0.18 μm CMOS工藝設計,工作電壓1 V,總電流4 μA,電路的溫度繫數為83×10-6 K-1.
제출료일충신형적저전압、저공모、공작재아역치구적기준전압원.해전로용표준적0.18 μm CMOS공예설계,공작전압1 V,총전류4 μA,전로적온도계수위83×10-6 K-1.
