半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
1期
59-62
,共4页
贺利军%程兴奎%李华%张健%周均铭%黄绮
賀利軍%程興奎%李華%張健%週均銘%黃綺
하리군%정흥규%리화%장건%주균명%황기
超晶格%电子态%微带带宽%计算法
超晶格%電子態%微帶帶寬%計算法
초정격%전자태%미대대관%계산법
利用MBE设备制备GaAs/AlGaAs超晶格材料,在低温(T=77K)下测量样品的光电流谱,从电子波动的观点出发,通过考虑电子波在超晶格阱层/势垒层的反射和干涉,讨论了超晶格的电子态.提出了一种计算超晶格微带带宽的方法,并计算了GaAs/AlGaAs超晶格的微带带宽.理论计算结果和实验结果符合得相当好.
利用MBE設備製備GaAs/AlGaAs超晶格材料,在低溫(T=77K)下測量樣品的光電流譜,從電子波動的觀點齣髮,通過攷慮電子波在超晶格阱層/勢壘層的反射和榦涉,討論瞭超晶格的電子態.提齣瞭一種計算超晶格微帶帶寬的方法,併計算瞭GaAs/AlGaAs超晶格的微帶帶寬.理論計算結果和實驗結果符閤得相噹好.
이용MBE설비제비GaAs/AlGaAs초정격재료,재저온(T=77K)하측량양품적광전류보,종전자파동적관점출발,통과고필전자파재초정격정층/세루층적반사화간섭,토론료초정격적전자태.제출료일충계산초정격미대대관적방법,병계산료GaAs/AlGaAs초정격적미대대관.이론계산결과화실험결과부합득상당호.
