半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
218-222
,共5页
吴惠桢%梁军%劳燕锋%余萍%徐天宁%邱东江
吳惠楨%樑軍%勞燕鋒%餘萍%徐天寧%邱東江
오혜정%량군%로연봉%여평%서천저%구동강
立方相和六方相ZnMgO%薄膜场效应晶体管%电学特性
立方相和六方相ZnMgO%薄膜場效應晶體管%電學特性
립방상화륙방상ZnMgO%박막장효응정체관%전학특성
首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.
首次提齣瞭用六方相晶體結構的寬帶隙ZnMgO作為薄膜場效應晶體管(TFT)的溝道層,用立方相ZnMgO納米晶體薄膜作為柵絕緣層,在實驗中用透明的ITO導電玻璃作為襯底,通過連續沉積六方和立方相結構的納米ZnMgO晶體薄膜,併通過光刻、電極工藝等,研製瞭透明的ZnO基TFT,TFT的電流開關比達到104,場效應遷移率為0.6cm2/(V·s).在偏壓2.5MV/cm下漏電流為10-8A.
수차제출료용륙방상정체결구적관대극ZnMgO작위박막장효응정체관(TFT)적구도층,용립방상ZnMgO납미정체박막작위책절연층,재실험중용투명적ITO도전파리작위츤저,통과련속침적륙방화립방상결구적납미ZnMgO정체박막,병통과광각、전겁공예등,연제료투명적ZnO기TFT,TFT적전류개관비체도104,장효응천이솔위0.6cm2/(V·s).재편압2.5MV/cm하루전류위10-8A.
