光学技术
光學技術
광학기술
OPTICAL TECHNOLOGY
2009年
1期
145-147,151
,共4页
乔建良%牛军%杨智%邹继军%常本康
喬建良%牛軍%楊智%鄒繼軍%常本康
교건량%우군%양지%추계군%상본강
电子技术%表面模型%NEA GaN光电阴极%电子亲和势%偶极层
電子技術%錶麵模型%NEA GaN光電陰極%電子親和勢%偶極層
전자기술%표면모형%NEA GaN광전음겁%전자친화세%우겁층
针对目前NEA GaN 光电阴极研究中Cs激活或Cs/O激活后表面状态的形成过程还不清楚的问题,围绕NEA GaN光电阴极的光电发射机理,结合GaN光电阴极激活过程中出现的现象及成功激活的最终效果,给出了GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]: O-Cs.利用该模型可很好地解释单独用Cs激活时约-1.0 eV的有效电子亲和势和Cs/O共同激活时 -1.2 eV的有效电子亲和势的成因,也较好地解释了表面吸附原子的组合形式,即Cs/O激活后激活层的化学结构由Cs2O2和CsO2构成.
針對目前NEA GaN 光電陰極研究中Cs激活或Cs/O激活後錶麵狀態的形成過程還不清楚的問題,圍繞NEA GaN光電陰極的光電髮射機理,結閤GaN光電陰極激活過程中齣現的現象及成功激活的最終效果,給齣瞭GaN光電陰極銫氧激活後的錶麵模型[GaN(Mg):Cs]: O-Cs.利用該模型可很好地解釋單獨用Cs激活時約-1.0 eV的有效電子親和勢和Cs/O共同激活時 -1.2 eV的有效電子親和勢的成因,也較好地解釋瞭錶麵吸附原子的組閤形式,即Cs/O激活後激活層的化學結構由Cs2O2和CsO2構成.
침대목전NEA GaN 광전음겁연구중Cs격활혹Cs/O격활후표면상태적형성과정환불청초적문제,위요NEA GaN광전음겁적광전발사궤리,결합GaN광전음겁격활과정중출현적현상급성공격활적최종효과,급출료GaN광전음겁색양격활후적표면모형[GaN(Mg):Cs]: O-Cs.이용해모형가흔호지해석단독용Cs격활시약-1.0 eV적유효전자친화세화Cs/O공동격활시 -1.2 eV적유효전자친화세적성인,야교호지해석료표면흡부원자적조합형식,즉Cs/O격활후격활층적화학결구유Cs2O2화CsO2구성.
